Samsung の先進半導体製造への意欲的な取り組みが大きな課題に直面しています。最近の報告によると、同社の3nm Gate-All-Around（GAA）プロセス技術の歩留まりが期待を下回っていることが明らかになりました。この最先端技術で市場に先駆けて参入したものの、韓国のテクノロジー大手は生産目標の達成に苦戦しており、競争の激しいファウンドリービジネスにおける競争力に影響を及ぼす可能性があります。
現在の歩留まり状況
Samsung の第1世代3nm GAAプロセス（SF3E-3GAE）は、50-60%の歩留まりを達成しています。これは生産効率の大幅な改善を示していますが、当初の目標である70%には届いていません。さらに懸念されるのは、第2世代プロセスの歩留まりがわずか20%にとどまっていることで、これは目標の3分の1以下です。
顧客関係への影響
この期待を下回る歩留まりは、すでにビジネス関係に影響を及ぼし始めています。業界の主要プレイヤーである Qualcomm は、Snapdragon 8 Elite の製造を TSMC の3nm N3Eプロセスに限定し、Samsung のプロセスを採用しないことを決定しました。さらに、従来 Samsung に忠実だった韓国国内の企業でさえ、より成熟した TSMC のプロセスノードへと注文をシフトし始めています。
2nmプロセス開発への戦略的シフト
これらの課題に対応するため、Samsung は将来のテクノロジーノードに向けてリソースを再配分しているようです。同社は、今後の2nm（SF2P）プロセス技術を使用した新しい Exynos チップセット（コードネーム「Ulysses」）を開発中とされています。このチップは2027年に発売予定の Galaxy S27 シリーズに搭載される見込みで、現在の技術的課題を克服するための長期戦略を示唆しています。
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| Samsung の未来への展望：Exynos チップは、現在の課題を克服するための同社の戦略的転換を象徴しています |
業界への影響
3nmプロセスの歩留まり問題は、先進的な半導体製造分野における Samsung の競争力に大きな疑問を投げかけています。同社は新しいプロセスノードの導入では先駆者としての地位を維持していますが、これらの技術の実用化と商業化は依然として克服すべき課題となっています。