高速な読み書き性能と優れた耐久性を誇るNVMe M.2 SSD。3500MB/sの連続読み出し速度と3000MB/sの連続書込み速度により、データアクセスが大幅に早くなります。さらに、500,000 IOPSのランダム読み出しと480,000 IOPSのランダム書込み性能で、マルチタスクや大容量ファイル処理をスムーズに行えます。HMB(Host Memory Buffer)機能により、システムメモリを活用してパフォーマンスを向上させ、ニッケル被覆コントローラとヒートスプレッダーラベルが熱対策を強化します。
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価格
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仕様
基本情報
ブランド
SAMSUNG
モデル
MZ-V8V1T0B/IT
製品名
980
プロトコル
NVMe 1.4
コントローラー
Samsung自社製
NANDフラッシュタイプ
V-NAND 3bit MLC (TLC)
発売日
2021-03-12
インターフェース
PCIe Gen3.0 x4
フォームファクター
M.2 2280
機能
追加機能
HMB (Host Memory Buffer), Intelligent TurboWrite, ニッケル被覆コントローラ, ヒートスプレッダーラベル
SMART監視
あり
TRIMサポート
あり
性能
ランダム読み込み速度
500000
ランダム読み込み速度単位
IOPS
ランダム書き込み速度
480000
ランダム書き込み速度単位
IOPS
シーケンシャル読み込み速度
3500
シーケンシャル読み込み速度単位
MB/s
シーケンシャル書き込み速度
3000
シーケンシャル書き込み速度単位
MB/s
環境
動作温度最大
70
動作温度単位
°C
耐衝撃性
1500
耐衝撃性単位
G
保管温度最大
85
保管温度最小
-40
保管温度単位
°C
信頼性
耐久性評価
0.32 DWPD
平均故障間隔
1500000
平均故障間隔単位
hours
書き込みテラバイト数
600
書き込みテラバイト数単位
TBW
保証サポート
保証期間
5年
保証タイプ
制限付保証
電力
アクティブ電力
4.5
アクティブ電力単位
W
アイドル電力
0.045
アイドル電力単位
W
互換性
対応プラットフォーム
Windows, Mac, Linux
寸法
高さ
2.38
高さ単位
mm
長さ
80.15
長さ単位
mm
幅
22.15
幅単位
mm
容量
利用可能容量
1TB