高速な読み書き性能と大容量の2TBを誇るNVMe SSD。M.2 2280フォームファクタで、PCIe Gen5.0×2インターフェースにより、最大7,250MB/sの連続読み出し速度と6,300MB/sの書き込み速度を実現します。V-NAND TLCフラッシュメモリを使用し、1,000,000 IOPSのランダム読み出しと1,350,000 IOPSのランダム書き込み性能を提供します。HMB(Host Memory Buffer)機能により、パフォーマンスが向上します。PCやゲーミングPC、ワークステーションに最適な選択肢です。
詳細仕様
価格
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¥20,182
1 商品
仕様
基本情報
ブランド
SAMSUNG
モデル
MZ-V9S2T0B-IT
製品名
990 EVO Plus
フォームファクター
M.2 2280
インターフェース
PCIe Gen5.0×2 NVMe
プロトコル
NVMe
NANDフラッシュタイプ
V-NAND TLC
コントローラー
Samsung自社製コントローラ
発売日
2024-11-13
寸法
長さ
80
長さ単位
mm
幅
22
幅単位
mm
高さ
2.38
高さ単位
mm
容量
利用可能容量
2TB
性能
シーケンシャル読み込み速度
7250
シーケンシャル読み込み速度単位
MB/s
シーケンシャル書き込み速度
6300
シーケンシャル書き込み速度単位
MB/s
ランダム読み込み速度
1000000
ランダム読み込み速度単位
IOPS
ランダム書き込み速度
1350000
ランダム書き込み速度単位
IOPS
信頼性
書き込みテラバイト数
1200
書き込みテラバイト数単位
TBW
機能
追加機能
HMB (Host Memory Buffer)
保証サポート
保証期間
5年
保証タイプ
メーカー保証
互換性
対応プラットフォーム
PC, ゲーミングPC, ワークステーション