高速なPCIe Gen4/Gen5インターフェースを搭載し、最大7,150MB/sの読み出し速度と6,300MB/sの書き込み速度を実現。V-NAND TLCフラッシュメモリにより、高い耐久性と信頼性を提供します。850,000 IOPSのランダム読み出しと1,350,000 IOPSのランダム書き込み性能で、ゲームや大規模なデータ処理に最適です。
詳細仕様
価格
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¥15,131
2 商品
仕様
基本情報
ブランド
SAMSUNG
モデル
MZ-V9S1T0B-IT
製品名
990 EVO Plus
フォームファクター
M.2 (Type2280)
インターフェース
PCI-Express Gen4/Gen5
プロトコル
NVMe
NANDフラッシュタイプ
V-NAND TLC
発売日
2024-11-08
寸法
長さ
80
長さ単位
mm
幅
22
幅単位
mm
高さ
2.38
高さ単位
mm
容量
利用可能容量
1TB, 2TB, 4TB
性能
シーケンシャル読み込み速度
7150
シーケンシャル読み込み速度単位
MB/s
シーケンシャル書き込み速度
6300
シーケンシャル書き込み速度単位
MB/s
ランダム読み込み速度
850000
ランダム読み込み速度単位
IOPS
ランダム書き込み速度
1350000
ランダム書き込み速度単位
IOPS
信頼性
平均故障間隔
1500000
平均故障間隔単位
hours
書き込みテラバイト数
600
書き込みテラバイト数単位
TBW
耐久性評価
0.32 DWPD
