メモリ技術における重要な breakthrough として、 SanDisk は従来の NAND ストレージと高性能メモリの間のギャップを埋める画期的なイノベーション、High-Bandwidth Flash（HBF）を発表しました。この開発は、AIアプリケーションが前例のない高速メモリ容量を必要としている重要な時期に実現されました。
革新的なアーキテクチャ
SanDisk の HBF テクノロジーは、メモリ設計における根本的な転換点を示しています。3D NAND の大容量ストレージ能力と High Bandwidth Memory（HBM）に匹敵する帯域幅を組み合わせています。このアーキテクチャは、特殊な論理ダイ上に構築された16個の HBF コアダイをシリコン貫通電極（TSV）で相互接続する高度な積層技術を採用しています。この独自のアプローチにより、複数のフラッシュサブアレイへの並列アクセスが可能となり、 NAND のコスト優位性を維持しながら、優れた帯域幅を実現しています。
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| 高帯域幅フラッシュ（ HBF ）スタックの精巧なアーキテクチャとコンポーネントを示す詳細な図 |
前例のない容量
第一世代の HBF は、8スタック構成で最大4TBの VRAM 容量をサポートするという驚異的な性能を示しています。各スタックは512GBのメモリを保持しており、通常24GBのスタック容量を提供する現行の HBM3E ソリューションを大きく上回る21倍の容量を実現し、データ集約型AIアプリケーションの処理方法に革命をもたらす可能性があります。
主要仕様：
- スタック構成：スタックあたり16枚の HBF コアダイ
- 最大容量：4TB（8スタック使用時）
- 単一スタック容量：512GB
- コアダイ容量：ダイあたり256Gb
- 比較容量：スタックあたりの容量が HBM3E（24GB）の21倍
性能と実装
SanDisk は具体的な帯域幅の数値を公表していませんが、同様のコストポイントで HBM の帯域幅に匹敵し、8〜16倍の容量を提供すると主張しています。この技術は HBM と同様の電気インターフェースを使用していますが、ホストデバイスにはいくつかのプロトコル修正が必要です。この戦略的な設計選択により、ハードウェアメーカーによる採用がより容易になる可能性があります。
市場ポジションと将来のアプリケーション
SanDisk は HBF を、従来の DRAM ソリューションが提供する超低レイテンシーよりも、高スループットと容量がより重要なAIインファレンスワークロード向けに主に位置付けています。同社は、スマートフォンなどの消費者向けデバイスへの実装を含む、より広範なアプリケーションスペクトルを想定しています。広範な採用を促進するため、 SanDisk は HBF をオープン標準として確立し、業界パートナーと技術諮問委員会を設立する取り組みを進めています。
技術的課題
HBF は有望ですが、いくつかの技術的な課題に直面しています。この技術は、 NAND 固有の書き込み耐久性の制限とブロックベースのアドレッシング制約に対処する必要があります。 SanDisk は3世代にわたる開発ロードマップを示しており、これらの課題を解決し、技術の能力を向上させることへの長期的なコミットメントを示唆しています。
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| 世代を重ねるごとの容量、読み取り帯域幅、エネルギー効率の改善計画を詳細に示した HBF ロードマップの視覚的表現 |