Samsung の次世代 GDDR7 メモリ、42.5 GT/s の速度と170 GB/s の帯域幅で限界に挑戦

BigGo Editorial Team
Samsung の次世代 GDDR7 メモリ、42.5 GT/s の速度と170 GB/s の帯域幅で限界に挑戦

グラフィックスメモリの世界が大きな転換期を迎えようとしています。 Samsung と SK hynix が最新の GDDR7 メモリ技術を発表する準備を進めており、この革新的な開発はハイパフォーマンスコンピューティングとグラフィックス処理の未来を塗り替える可能性を秘めています。

メモリ速度の新境地

Samsung は、近日開催される International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)で、画期的な24Gb(3GB)GDDR7 メモリチップを披露する予定です。この新しいメモリソリューションは、最大42.5 GT/s の転送速度を実現し、チップあたり170 GB/s という印象的なピーク帯域幅を達成します。これは、32 GT/s で128 GB/s の帯域幅を持つ現行の16Gb GDDR7 チップと比較して、大幅な性能向上を示しています。

仕様 現行 GDDR7 新型 GDDR7
容量 16Gb (2GB) 24Gb (3GB)
転送速度 32 GT/s 42.5 GT/s
最大帯域幅 128 GB/s 170 GB/s

高速化を支える技術革新

Samsung は、この前例のない性能を維持しながら信頼性を確保するため、いくつかの高度な機能を実装しています。エネルギー効率を高めるための低電力 Write Clock (WCK)分配システムや、信号の完全性を向上させる抵抗/容量最適化デュアルエンファシストランスミッターなどが開発されました。これらの革新は、高性能条件下での安定性維持に不可欠です。

SK hynix による GDDR7 の進化への貢献

Samsung の開発と並行して、 SK hynix も42 GT/s 対応のシングルエンド PAM-3 レシーバー技術を発表する予定です。高いノイズ、クロストーク、シンボル間干渉といった厳しい条件下でも信号の完全性を維持するよう設計された、革新的なシングルエンドハイブリッド判定フィードバック等化(DFE)システムを特徴としています。

将来の実装と市場への影響

これらの開発は印象的ですが、商用化の時期については不確実です。 NVIDIA の次期 Blackwell RTX 5090 GPU は28 Gbps の GDDR7 メモリを採用する見込みであり、42.5 GT/s の速度は将来の世代に向けて準備されているものと考えられます。実装された暁には、512ビットインターフェースで最大48GBのメモリを搭載したグラフィックスカードが可能となり、驚異的な2.7 TB/s のピーク帯域幅を実現する可能性があります。

実装仕様の可能性
メモリーインターフェース:512ビット
最大メモリー容量:48GB
システムピークバンド幅:2.7 TB/s

実用的な応用と性能への影響

この進歩の意義は、単なる数値以上のものです。この新しいメモリ規格は、より複雑なグラフィックス処理を可能にし、人工知能ワークロードを加速させることで、ハイパフォーマンスコンピューティングの応用分野に革命をもたらす可能性があります。ただし、業界はこれらの性能能力と、消費電力および熱管理の課題とのバランスを慎重に取る必要があります。