DRAM の発明者である Robert Dennard の最近の逝去により、コンピューターメモリの進化と現在の技術的限界について、テクノロジー業界で広範な議論が巻き起こっています。DRAM は1960年代にコンピューティングに革命をもたらしましたが、現在この技術は物理的な制約に直面しており、その将来について興味深い議論が行われています。
DRAM の物理的限界
技術専門家によると、DRAM は以下のような重要な物理的障壁に直面しています：
- 周波数の限界 ：DRAM キャパシタは現在の材料で約 400MHz の物理的限界に達し、ランダムな位置からの連続読み取り速度に影響を与えています
- キャパシタのサイズ ：現代の DRAM セルは1キャパシタあたり約40,000個の電子で動作しており、信号対雑音比が問題となる最小閾値に近づいています
- レイテンシーの頭打ち ：速度が向上しているにもかかわらず、実際のレイテンシーは DDR2 以降、13-17ns の間で比較的一定のままです
価格性能の進化
DRAM の経済性は興味深い傾向を示しています：
- 1990年代：
- 1MB SIMM：30-50ドル
- 4MB SIMM：150ドル（1992年）
- 32MB：1,200ドル（1994年）
- 現代：
- DDR4 RAM：1GB あたり2ドル未満
- 一部の製品は1GB あたり1ドルに近づいています
SRAM と DRAM の比較
業界では SRAM と DRAM の主な違いを以下のように指摘しています：
- SRAM の利点 ：
- リフレッシュ不要
- より高速なアクセス時間
- アイドル時の低消費電力
- DRAM の利点 ：
- SRAM の4-6トランジスタに対し1ビットあたり1トランジスタ
- ビットあたりの大幅な低コスト
- より高い密度
最新の開発状況
DDR5 技術の最近の進歩は、継続的な進化を示しています：
- 現在の DDR5-6000 CL30 は DDR4-3200 CL16 と同様のレイテンシーを実現
- メモリスティックあたりのチャネル増加によるバンド幅の改善
- マルチコアプロセッサのサポート強化
将来の課題
テクノロジー業界は以下のような課題を認識しています：
- 現在の DRAM アーキテクチャの物理的限界
- 400MHz キャパシタの限界を克服するための新材料の必要性
- AI とクラウドコンピューティングアプリケーションにおける高密度化への需要増加
- 性能向上と消費電力のバランス
この進化は、DRAM 技術の驚くべき journey と、次世代メモリソリューションを探求する中で、現在の物理的限界を超えることの複雑さの両方を反映しています。