Samsung は、半導体製造技術で大きな飛躍を遂げようとしています。最初のHigh-NA（高開口数）極端紫外線（EUV）リソグラフィツールの設置を計画しており、これは同社のチップ生産能力を向上させ、世界の半導体市場での競争力を維持するための取り組みを示しています。

最先端技術の到来

最近の報告によると、Samsung は2024年第4四半期から2025年第1四半期の間に、 ASML の Twinscan EXE:5000 High-NA EUVリソグラフィシステムを受け取り、設置を開始する予定です。この先進的なツールは、0.55の開口数を誇り、現在のEUVシステムに比べて大きな技術的進歩を表しています。

新しい Twinscan EXE:5000 High-NA EUV リソグラフィシステムは、半導体製造技術における大きな飛躍です

主な特徴と利点

Twinscan EXE:5000 は8nmの解像度能力を持ち、単一露光で13nmが限界の既存のLow-NA EUVシステムに比べて大きな改善を示しています。この強化により以下が可能になります：

• 約1.7倍小さなトランジスタ
• ほぼ3倍のトランジスタ密度
• 高コストのダブルパターニングプロセスの潜在的な排除

これらの進歩は3nm以下のプロセス技術の開発に不可欠であり、 Samsung がより高度で効率的なチップ設計の競争で効果的に競争できるようにします。

研究開発の焦点

Samsung は、この最初のHigh-NA EUVツールを華城キャンパスに設置し、主に研究開発目的で使用する計画です。同社は2025年半ばまでにシステムを稼働させ、ロジックとDRAMチップの両方の次世代製造技術を開発することを目指しています。

エコシステムの開発

Samsung は、包括的なアプローチの重要性を認識し、High-NA EUV技術を中心とした強固なエコシステムの構築に積極的に取り組んでいます。これには以下との協力が含まれます：

• Lasertec：High-NAフォトマスクの検査装置開発
• JSR：フォトレジストメーカー
• Tokyo Electron：エッチング装置の開発
• Synopsys：フォトマスク上の曲線パターンへのシフト

これらのパートナーシップは、 Samsung がHigh-NA EUVツールの商業的実装（暫定的に2027年を目標）に向けて包括的な戦略を準備していることを強調しています。

この先進的な製造環境に見られるように、 High-NA EUV 技術のエコシステム開発には協力が不可欠です

業界の文脈と競争

Samsung のタイムラインは Intel よりも約1年遅れてHigh-NA EUV能力を獲得することになりますが、 TSMC や SK hynix などのライバルよりも先行しています。この戦略的な動きは、急速に進化する半導体産業で Samsung が競争力を維持するために重要です。

課題と考慮事項

High-NA EUV技術の採用には、独自の課題があります：

• 高コスト：各ツールは3億8000万ドルから4億ドルと推定される
• イメージングフィールドの縮小：チップ設計の大幅な変更が必要
• 装置サイズの拡大：ファブレイアウトの再考が必要

これらの障壁にもかかわらず、チップの性能と製造効率の面での潜在的な利点は、 Samsung の半導体生産の未来にとって重要な投資となります。

半導体業界がチップ製造の可能性の限界を押し広げ続ける中、 Samsung のHigh-NA EUV技術採用の動きは、次世代半導体デバイスに向けた重要な一歩を表しています。今後数年で、 Samsung がこの先進技術をどれだけ迅速に活用して革新的でより強力なチップを市場に投入できるかが明らかになるでしょう。